Características de los diodos de silicio y germanio

Cuando pensamos en dispositivos electrónicos, a menudo pensamos en qué tan rápido funcionan estos dispositivos o cuánto tiempo podemos operar el dispositivo antes de recargar la batería. Lo que la mayoría de la gente no piensa es de qué están hechos los componentes de sus dispositivos electrónicos. Si bien cada dispositivo difiere en su construcción, todos estos dispositivos tienen una cosa en común: circuitos electrónicos con componentes que contienen los elementos químicos silicio y germanio.

TL; DR (Demasiado largo; No leído)

El silicio y el germanio son dos elementos químicos llamados metaloides. Tanto el silicio como el germanio se pueden combinar con otros elementos llamados dopantes para crear dispositivos electrónicos de estado sólido, como diodos, transistores y células fotoeléctricas. La principal diferencia entre los diodos de silicio y germanio es el voltaje necesario para que el diodo se encienda (o se «polarice hacia adelante»). Los diodos de silicio requieren 0,7 voltios para polarizarse en directa, mientras que los diodos de germanio requieren solo 0,3 voltios para polarizarse en directa.

Cómo hacer que los metaloides conduzcan corrientes eléctricas

El germanio y el silicio son elementos químicos llamados metaloides. Ambos elementos son frágiles y tienen un brillo metálico. Cada uno de estos elementos tiene una capa externa de electrones que contiene cuatro electrones; esta propiedad del silicio y el germanio dificulta que cualquiera de los dos elementos en su forma más pura sea un buen conductor eléctrico. Una forma de hacer que un metaloide conduzca la corriente eléctrica libremente es calentarlo. Agregar calor hace que los electrones libres en un metaloide se muevan más rápido y viajen más libremente, lo que permite que fluya la corriente eléctrica aplicada si la diferencia de voltaje a través del metaloide es suficiente para saltar a la banda de conducción.

Introducción de dopantes a silicio y germanio

Otra forma de cambiar las propiedades eléctricas del germanio y el silicio es introducir elementos químicos llamados dopantes. Elementos como el boro, el fósforo o el arsénico se pueden encontrar en la tabla periódica cerca del silicio y el germanio. Cuando se introducen dopantes en un metaloide, el dopante proporciona un electrón adicional a la capa de electrones externa del metaloide o priva al metaloide de uno de sus electrones.

En el ejemplo práctico de un diodo, una pieza de silicio se dopa con dos dopantes diferentes, como el boro por un lado y el arsénico por el otro. El punto donde el lado dopado con boro se encuentra con el lado dopado con arsénico se denomina unión PN. Para un diodo de silicio, el lado dopado con boro se denomina «silicio tipo P» porque la introducción de boro priva al silicio de un electrón o introduce un «agujero» de electrones. Por otro lado, el silicio dopado con arsénico se denomina «silicio tipo N» porque agrega un electrón, lo que facilita el flujo de corriente eléctrica cuando se aplica voltaje al diodo.

Dado que un diodo actúa como una válvula unidireccional para el flujo de corriente eléctrica, debe haber un diferencial de voltaje aplicado a las dos mitades del diodo, y debe aplicarse en las regiones correctas. En términos prácticos, esto significa que el polo positivo de una fuente de alimentación debe aplicarse al cable que va al material tipo P, mientras que el polo negativo debe aplicarse al material tipo N para que el diodo conduzca la electricidad. Cuando la potencia se aplica correctamente a un diodo y el diodo conduce corriente eléctrica, se dice que el diodo está polarizado en directa. Cuando los polos negativo y positivo de una fuente de alimentación se aplican a los materiales de polaridad opuesta de un diodo (polo positivo a material tipo N y polo negativo a material tipo P), un diodo no conduce corriente eléctrica, una condición conocida como Polarización inversa.

La diferencia entre germanio y silicio

La principal diferencia entre los diodos de germanio y de silicio es el voltaje al cual la corriente eléctrica comienza a fluir libremente a través del diodo. Un diodo de germanio generalmente comienza a conducir corriente eléctrica cuando el voltaje aplicado correctamente a través del diodo alcanza los 0,3 voltios. Los diodos de silicio requieren más voltaje para conducir la corriente; se necesitan 0,7 voltios para crear una situación de polarización directa en un diodo de silicio.

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